Tangerine John

MOCVD磊晶製成晶圓承載盤之再生與修補技術
The Recycling and Repairing of Wafer Carrier Used in MOCVD Epitaxial Processing

顏天淵 博士 樺榆國際有限公司

1984年大同機械學士畢業
1986年大同機械碩士畢業
1995年交大機械博士畢業

與胡毅主任和何明果校長同班。

超硬鍍膜。
1950年代蘇聯首先開發。
1980年代日本在低溫低壓證實了蘇聯的研究。

國防部，飛彈頭，紅外線光罩磨損。

微波電漿設備。

真正成功，實際上只有在刀具方面。

例如：碳族的C60、CNTs，到現在火紅的graphene。一路走來，大家都一窩蜂的研究。

藍光LED，1993年，日本，中村修二。

RGB，藍色波常較短，3、5族半導體，例如：氮化鎵(GaN)、Sapphire。

中村修二，LED基礎專利。

藍光 + 黃光螢光粉 = 白光

Atmosphere: 1250^oC, 10 toor, N₂ gas。
Film: SiC, 50~70 um。
Substrate: graphite。

國內就大立光唯一光學廠賺錢。
第二名連湯都沒有。

今國光學工業公司，SiC脫膜，要再加上DLC(類鑽碳)，不符合成本。

現階段使用保護蓋玻璃3D熱壓成型模具，只有三星(Samsung)。
摺邊，前幾年製程良率依舊低迷。

大小廠合作，開發費用各自承擔，頂多成功後給你接單。

MOCVD承載盤，日本、德國。國內無法生產，無法取得graphite。
連MOCVD國內也只有兩家能提供磊晶爐。

高溫，軍武。飛彈，火箭，引擎，尾翼，人造衛星。

溫度均勻性，溫度差小於0.1度，波長差距小於2nm。

回收再生，省錢。

K465i Wafer Carrier。例如：波長範圍458~462nm。

外型不佳，但堪用，成本也還可以。

Life time也要顧，平整度，溫度均勻性。沒有一個生意輕鬆容易又好做又好賺。

美國廠家 Vocal，承載盤較大。
德國 Extron，4" disk。
荷蘭 Xycarb

高溫CVD SiC製程，化學反應式：
Si-Mo → SiC + 廢氣

沉積溫度：1000-1200^oC
反應壓力：10-100 torr

除了台積電有分析設備，國內廠商很節儉，幾乎都沒有分析設備。

CVI，化學氣相滲透。

All SiC成本高，四吋盤，陶氏化學(DOW Chemical Company)，燒結法和CVD法的競爭。