99學年期中考是非題
1.(X)一材料所收之電場是外加電壓除以材料厚度。
2.(X)原子在運動中撞擊電子後，原子的速率不變，但方向改變。
3.(O)由古典理論得知鋰(Li)的導電電子為1。
4.(X)電子在外加電場下運動，假設給予外加磁場，則電子的運動方向一定改變。
5.(X)同一種金屬，其導電率(conductivity)隨外加電場越大而越大。
6.(X)溫度越高，電子的移動率(mobility)越低，電阻率也越低。T↑μd↓ρ↑
7.(X)假設銅的導電率是鋁的1.5倍，則直徑1mm的銅線與1.5mm的鋁線具相同的???
8.(X)金屬的導電度越高，其熱傳導率越高，兩者皆與離子擴散有關。
9.(X)對合金而言，當雜質濃度超過溶解度時會形成第二相，其電阻率變成兩相相減。
10.(O)材料因雜質所產生的固溶體，其導電率通常會比純材料低。
11.(O)冷加工之金屬，其電阻增加的因是形成差排所造成。
12.(O)對金屬而言，導電是由自由電子傳導，霍爾(Hall)係數必為負值。
13.(X)對半導體而言，本質的意義是霍爾係數必定為0。
14.(O)對本質半導體而言，其電子濃度必等於電洞濃度。
15.(X)對半導體而言，溫度越高，電子與電洞碰撞機率越高，電阻也越高。
16.(O)電阻率溫度係數(TCR)越大，代表材料之電阻率隨溫度越高而變化越大。
17.(O)對異質半導體而言，添加磷至矽晶為n-type半導體。P為族元素，多一個電子，為n-type(negative,-)。
18.(X)添加硼至矽晶中為n-type半導體，因為硼的價電子為+3，少一個電洞。B為族元素，多一個電洞或者說少一個電子，為p-type(positive,+)。
19.(O)離子導電中鋰離子較鈉離子小，所以鋰離子較鈉離子在材料中擴散較快。
20.(X)固溶體是雜質以取代或嵌入方式在母材中產生第二相者。
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